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Carrier recombination times in amorphous-silicon doping superlatticesHUNDHAUSEN, M; LEY, L; CARIUS, R et al.Physical review letters. 1984, Vol 53, Num 16, pp 1598-1601, issn 0031-9007Article

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Microstructure-dependent photoelectric properties in porphyrin LB filmsYONEYAMA, M; FUJII, A; MAEDA, S et al.Molecular crystals and liquid crystals (1991). 1992, Vol 216-8, pp 189-194, issn 1056-8816Conference Paper

Courants de recombinaison tunnel dans des hétérojonctions non parfaitesSHIK, A. YA.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1983, Vol 17, Num 7, pp 1295-1299, issn 0015-3222Article

Temperature dependence of luminescence lifetimes in quartz under pulsed blue light stimulationCHITHAMBO, M. L; GALLOWAY, R. B.Radiation effects and defects in solids. 2001, Vol 154, Num 3-4, pp 355-359, issn 1042-0150Conference Paper

Désactivation Auger des excitons des dislocationsMOLOTSKIJ, M. I.Fizika tverdogo tela. 1986, Vol 28, Num 4, pp 1270-1272, issn 0367-3294Article

Détermination de la vitesse de recombinaison à la surface de séparation d'hétérojonctions SixGe1-x-GaAsBORKOVSKAYA, O. YU; DMITRYK, N. L; KONAKOVA, R. V et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1984, Vol 18, Num 3, pp 402-407, issn 0015-3222Article

Electron-hole recombination antiblooming for virtual-phase CCD imagerHYNECEK, J.I.E.E.E. transactions on electron devices. 1983, Vol 30, Num 8, pp 941-948, issn 0018-9383Article

Kinetics of picosecond pulse generation in semiconductor lasers with bimolecular recombination at high current injectionSCHOLL, E; BIMBERG, D; SCHUMACHER, H et al.IEEE journal of quantum electronics. 1984, Vol 20, Num 4, pp 394-399, issn 0018-9197Article

SUR UNE POSSIBILITE D'EVALUER LES PROPRIETES DE RECOMBINAISON DES CONTACTS ET LEUR EFFET SUR LA CARACTERISTIQUE DE DIODES A SEMICONDUCTEURSGEJFMAN EM; GREKHOV IV; KOSTINA LS et al.1982; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; SUN; DA. 1982; VOL. 27; NO 2; PP. 386-391; BIBL. 6 REF.Article

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TRANSFERT D'EXCITATION DE PORTEURS DE CHARGE HORS D'EQUILIBRE DU AUX PHOTONS, DANS LES SEMICONDUCTEURSEPIFANOV MS; BOBROVA EA; GALKIN GN et al.1975; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 9; NO 8; PP. 1529-1533; BIBL. 6 REF.Article

CINETIQUE DE RECOMBINAISON CONTROLEE SIMULTANEMENT PAR LA DIFFUSION ET L'EFFET TUNNEL. CAS STATIONNAIREANTONOV ROMANOVSKIJ VV.1976; FIZ. TVERD. TELA; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 18; NO 2; PP. 484-488; BIBL. 5 REF.Article

RECOMBINATION INSTABILITIES IN SEMICONDUCTORS DOPED WITH DEEP TWO-LEVEL TRAPSANTOGNETTI P; CHIABRERA A; RIDELLA S et al.1972; J. APPL. PHYS.; U.S.A.; DA. 1972; VOL. 43; NO 11; PP. 4676-4680; BIBL. 17 REF.Serial Issue

TRANSPORT DES PORTEURS DANS UNE STRUCTURE P-I-P A HAUT NIVEAU D'INJECTIONPALKO EH V; UVAROV AI.1978; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1978; VOL. 12; NO 4; PP. 791-797; BIBL. 4 REF.Article

THE INFLUENCE OF SCREENING EFFECTS ON THE AUGER RECOMBINATION IN SEMICONDUCTORS.HAUG A; EKARDT W.1975; SOLID STATE COMMUNIC.; G.B.; DA. 1975; VOL. 17; NO 3; PP. 267-268; BIBL. 12 REF.Article

IMPURETES DANS LE GERMANIUM, LE SILICIUM ET L'ARSENIURE DE GALLIUM (CARACTERISTIQUES DE RECOMBINAISON)GLINCHUK KD.1972; POLUPROVODN. TEKH. MIKROELEKTRON., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1972; NO 7; PP. 51-60; BIBL. 2 P. 1/2Serial Issue

ELECTROLUMINESCENCE AT THE N-TIO₂/ELECTROLYTE INTERFACEMORISAKI H; YAZAWA K.1978; APPL. PHYS. LETTERS; USA; DA. 1978; VOL. 33; NO 12; PP. 1013-1015; BIBL. 8 REF.Article

PHOTOCONDUCTIVITE DE GAAS MONOCRISTALLIN A FLUCTUATIONS IMPORTANTES DU POTENTIEL ELECTROSTATIQUE DES IMPURETESMESSERER MA; OMEL'YANOVSKIJ EH M; PERVOVA L YA et al.1976; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 10; NO 5; PP. 851-858; BIBL. 8 REF.Article

PHENOMENE D'AMPLIFICATION DU SON PAR RECOMBINAISON DANS LES SEMICONDUCTEURSTIMAN BL.1973; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1973; VOL. 7; NO 3; PP. 463-470; BIBL. 5 REF.Serial Issue

RECOMBINATION PROPERTIES OF A DIFFUSED PN JUNCTION DETERMINED BY SPECTRAL RESPONSE MEASUREMENTSCONTI M; FERRARI P; MODELLI A et al.1981; SOLID-STATE ELECTRON.; ISSN 0038-1101; GBR; DA. 1981; VOL. 24; NO 9; PP. 879-881; BIBL. 7 REF.Article

RECOMBINAISON RESONNANTE DANS LE CHAMP MAGNETIQUE DES TROUS LEGERS PHOTOEXCITES DANS LE GERMANIUMGANTMAKHER VF; ZVEREV VN.1980; Z. EKSP. TEOR. FIZ.; ISSN 0044-4510; SUN; DA. 1980; VOL. 79; NO 6; PP. 2291-2301; ABS. ENG; BIBL. 15 REF.Article

CALCUL DE LA CINETIQUE DE DECLIN DE LA PHOTOCONDUCTIVITE EN PRESENCE DE BARRIERES DE RECOMBINAISON COLLECTIVESDOBREGO VP.1975; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 9; NO 11; PP. 2079-2083; BIBL. 5 REF.Article